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STE 53NC50 STM - MOSFET, N-Ch 500V 53A 0,07R, ISOTOP
N-CHANNEL 500V - 0,070O - 53A ISOTOP PowerMesh™II MOSFET Der PowerMESH™II ist die Weiterentwicklung der ersten Generation des MESH OVERLAY™. Die eingeführten Layout-Verfeinerungen führen zu einer deutlichen Verbesserung der Ron*-Fläche und halten den Baustein an der Spitze, was Schaltgeschwindigkeit, Gate-Ladung und Robustheit angeht. Anwendungen • Hochstrom, hohe Schaltgeschwindigkeit • getaktete Stromversorgungen (smps) • Gleichspannungswandler für Schweißgeräte, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Motortreiber Beschreibung • typisches rds(on) = 0,07 O • extrem hohe dv/dt-Fähigkeit • 100% Avalanche-getestet • neuer Hochspannungs-Benchmark • Gate-Ladung minimiert
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Website Design, Entwicklung und Verwaltung, Taschenbuch von Randy Joy Ventayen, Verlag Unser Wissen, 978-620-8-05563-9
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